在即将召开的2024年IEEE国际电子器件会议（IEDM2024）上，Intel曝光了一系列振奋人心的技术革新，预示着半导体行业即将迎来新的变革。首先，Intel在材料科学领域推出了革命性的减成法钌互连技术，这一创新可望将芯片内部的线%。这样一来，芯片性能和效率的提升，就像给新一代智能手机装上了火箭，助推速度飞升！

　　而更令人振奋的消息是，Intel代工部门在先进封装领域展示了一项异构集成方案，该方案能够将芯片间的封装速度提升惊人的百倍！想象一下，这将使得高性能计算系统的研发犹如一场飞速发展的科技狂欢，不再受限于繁琐的组装过程。

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　　在进一步的探索中，Intel还揭示了硅基Ribbion FET CMOS技术以及新型2D场效应晶体管的栅氧化层模块，旨在通过微缩化70%显著提升设备性能。这无疑为半导体工艺继续演进提供了强有力的支撑。

　　在300毫米氮化镓（GaN）技术领域，Intel也有了重大突破。他们研发的高性能微缩增强型GaNMOSHEMT将极大地减少信号损失，提高信号线性度，为功率器件和射频器件等领域的性能飞跃铺平道路。此外，基于衬底背部处理的先进集成方案也将为这些应用带来更强大的性能保障。

　　更令人期待的是，Intel代工部门提出了三个推动未来十年人工智能向高能效发展的关键创新方向。首先，必须加强先进内存集成，以解决容量、带宽和延迟等瓶颈问题；其次，通过混合键合技术进一步优化互连带宽，提升系统性能；最后，模块化系统及其连接解决方案的实施，将为构建更高效、更灵活的AI系统提供坚实的支持。未来的AI发展，正在被这些令人振奋的技术推动向前！返回搜狐，查看更多